SK하이닉스가 HBM4E 샘플 출하를 시작하며 차세대 AI 메모리 시장 경쟁이 본격화되고 있습니다.

SK하이닉스는 12단 HBM4E 샘플을 주요 고객사에 공급하기 시작했다고 밝혔습니다. 이번 제품은 핀당 16Gbps의 대역폭을 제공하며, 전 세대 대비 전력 효율을 20% 이상 개선한 것이 특징입니다.

공정 측면에서는 HBM4까지 적용하던 5세대 10nm급(1b) DRAM에서 6세대 10nm급(1c) DRAM으로 전환했습니다. 1c DRAM은 더 미세한 공정을 통해 동일한 다이 면적 내에 더 높은 메모리 셀 밀도를 구현할 수 있어 용량과 전력 효율 향상에 기여합니다.

패키징에는 자사의 Advanced MR-MUF 기술을 적용했습니다. 이 기술은 적층된 다이 사이에 보호 소재를 충진·경화해 구조적 안정성과 방열 성능을 동시에 높이는 방식으로, 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했습니다. SK하이닉스에 따르면 HBM4E의 열 성능은 HBM4 대비 17% 향상됐습니다.

삼성전자는 올해 2월 HBM4 양산 출하를 먼저 시작한 데 이어 지난달 HBM4E 샘플 공급에 나섰습니다. SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4로 이어진 기술력과 고객사와의 긴밀한 협력 관계를 바탕으로 HBM4E 시장에서의 주도권을 이어간다는 방침입니다.

더 먼 미래를 보면, 삼성전자는 7세대 10nm급 공정 기반의 1d DRAM 개발을 추진 중이며, 이르면 2027년 상반기 양산을 목표로 하는 것으로 알려졌습니다. 회로 선폭이 1c(11~12nm)보다 좁은 10~11nm 수준으로, HBM5 로드맵의 핵심 기반 기술로 꼽힙니다.

출처 : https://www.trendforce.com/news/2026/06/18/news-sk-hynix-ships-12-high-hbm4e-samples-boosts-bandwidth-to-16gbps-and-power-efficiency-by-over-20/